正文 第六百一十三章 四大巨头的价格战
四月十六日，通城，徐申学在智云微电子有限公司的总部里，举办了一场半导体会议。
会议主要针对现有七纳米以及五纳米工艺的产能扩充，未来三纳米工艺、二纳米工艺的技术攻关进行了讨论。
逻辑芯片是徐申学非常关注的一个领域，但是也不仅仅只是关注这个领域。
在储存芯片领域里徐申学也非常关注……因为储存芯片市场目前看似平静，但是新一轮的大规模价格战正在酝酿当中。
上一轮储存芯片市场的价格战，是两年前，当时的智云储存试图靠着先大规模量产的10c工艺玩价格战，四星半导体紧跟身后，试图联手打压海力士以及镁光。
但是出手过于仓促，资金准备也不是很妥当，最重要的是当时的10c工艺节点产能不够，10b工艺的竞争力也比较一般，最终导致效果不是很好。
搞了一四败俱伤的价格战，除了损失各自的利润外，没起到什么实际作用。
而现在，智云储存这边，打算再来一次！
这一次，他们将会准备的更加充分！
而这一次的半导体会议里，在储存芯片领域的讨论，其实也是为了下一轮的储存芯片市场的技术战以及价格战而准备。
闪存领域，根据会议讨论，将会重点围绕一百层到一百五十层之间的成熟3d nand闪存芯片进行大规模的产能扩充，同时建设扩充两百层以上的3d nand闪存芯片的大规模量产。
虽然两百层以上的闪存芯片已经有了，但是受限于成本以及产能问题，目前其实并不是主流。
主流储存芯片的层数，中高端产品是在一百层到一百五十层节点，而这个中高端市场，也是四大储存芯片巨头的核心营收以及利润来源……是支撑其研发新一代技术，建设下一代新工艺产能的战略支撑。
只要能够在这个市场区间里挤死对手，就等于断了对手的粮草，对方将会在新工艺的研发，新工艺的产能建设上落后……以后就只能玩落后市场了。
半导体制造业非常残酷的，一步落后就是步步落后。
而领先者，就能够在新一代工艺上获得丰厚的营收以及利润，进而形成良性循环！
智云集团，在逻辑芯片领域里的领先优势，就是这么一步一步积累起来的！
现在，在储存芯片领域里也这么玩！
储存芯片除了3d nand这种闪存芯片外，还有一个核心产品那就是运行内存芯片。
半导体会议上，确认了进一步大规模扩充相对成熟的10c工艺内存芯片的产能，要求在两年内把这个核心工艺的产能再翻一番。
要打价格战，充足的产能是前提……要不然产能就一点点，供不应求的话，还打什么价格战啊！
扩大成熟工艺产能的同时，并进一步推进到10d工艺，即第四代十纳米工艺，其实际工艺节点规划为12纳米的量产计划，要求在今年秋天完成技术验证，明年就大规模出货！
10c成熟工艺担任主力，直接玩大规模降价，冲击对手的基本盘，让对手的现金流迅速枯竭，失去维持下一代工艺研发以及制造现金流！
新工艺的研发和制造，很耗费资金的！
同时使用顶级技术……对手一时半会追不上的10d先进工艺占领高端市场，以维持整体利润。
这是一套组合拳，是价格战和技术战的双重结合！
智云半导体部门很喜欢这么打击对手……大多时候效果都挺好的。
其中的10d工艺，就承担着非常重要的责任：要趁机抢占高端市场，并且在10c工艺的利润迅速降低的时候，以自身利润给整个智云储存业务回血！
不然到时候10c工艺大规模降价销售，利润暴跌的时候，又没办法用10d工艺回血，这样的话就尴尬了。
10c以及10d工艺，这是智云集团在内存芯片领域的工艺代称，10c工艺的实际工艺节点为14纳米。
这也是目前全球范围内大规模量产工艺里最顶级的工艺，该工艺出现的还比较早，一度领先了四星半导体……不过四星半导体没多久就追上来了，没能形成太久的技术优势。
目前的10c工艺，是智云集团旗下各种高端内存芯片的主要量产工艺，这两年智云集团的很多终端产品里，都能找到采用该种工艺的高端内存。
目前智云集团旗下的智云储存的hb3高带宽内存，也就是apo6000显卡上使用的内存，就是采用这一工艺制造。
智云集团旗下的s系列手机，如去年发布的s20ax pro旗舰级，上面采用的lpddr5内存芯片，也是采用这一工艺……智云储存旗下的lpddr5高性能高速内存，也是目前最顶级的低功耗内存，性能甚至超过了四星的lpddr5内存产品。
其原因就是来源于代工生产lpddr5内存的智云微电子，其10c工艺的所提供的卓越性能。
现在的10c工艺，依旧是目前量产工艺里的顶级工艺，当然，已经无法大幅度领先对手了。
因为四星半导体，镁光，海力士都已经陆续追上来并拥有了该级别工艺……他们的同级别工艺有好有坏，但是整体处于同一级别，区别不是很大。
现在，智云微电子在内存工艺领域里，已经是全力朝着更先进的10d工艺冲击，其工艺节点为12纳米。
智云微电子的内存芯片的工艺划分，早期是采用30纳米，25纳米，20纳米！
后来进入十纳米工艺时代后，第一代采用10a工艺，实际工艺节点为18纳米。
第二代10
会议主要针对现有七纳米以及五纳米工艺的产能扩充，未来三纳米工艺、二纳米工艺的技术攻关进行了讨论。
逻辑芯片是徐申学非常关注的一个领域，但是也不仅仅只是关注这个领域。
在储存芯片领域里徐申学也非常关注……因为储存芯片市场目前看似平静，但是新一轮的大规模价格战正在酝酿当中。
上一轮储存芯片市场的价格战，是两年前，当时的智云储存试图靠着先大规模量产的10c工艺玩价格战，四星半导体紧跟身后，试图联手打压海力士以及镁光。
但是出手过于仓促，资金准备也不是很妥当，最重要的是当时的10c工艺节点产能不够，10b工艺的竞争力也比较一般，最终导致效果不是很好。
搞了一四败俱伤的价格战，除了损失各自的利润外，没起到什么实际作用。
而现在，智云储存这边，打算再来一次！
这一次，他们将会准备的更加充分！
而这一次的半导体会议里，在储存芯片领域的讨论，其实也是为了下一轮的储存芯片市场的技术战以及价格战而准备。
闪存领域，根据会议讨论，将会重点围绕一百层到一百五十层之间的成熟3d nand闪存芯片进行大规模的产能扩充，同时建设扩充两百层以上的3d nand闪存芯片的大规模量产。
虽然两百层以上的闪存芯片已经有了，但是受限于成本以及产能问题，目前其实并不是主流。
主流储存芯片的层数，中高端产品是在一百层到一百五十层节点，而这个中高端市场，也是四大储存芯片巨头的核心营收以及利润来源……是支撑其研发新一代技术，建设下一代新工艺产能的战略支撑。
只要能够在这个市场区间里挤死对手，就等于断了对手的粮草，对方将会在新工艺的研发，新工艺的产能建设上落后……以后就只能玩落后市场了。
半导体制造业非常残酷的，一步落后就是步步落后。
而领先者，就能够在新一代工艺上获得丰厚的营收以及利润，进而形成良性循环！
智云集团，在逻辑芯片领域里的领先优势，就是这么一步一步积累起来的！
现在，在储存芯片领域里也这么玩！
储存芯片除了3d nand这种闪存芯片外，还有一个核心产品那就是运行内存芯片。
半导体会议上，确认了进一步大规模扩充相对成熟的10c工艺内存芯片的产能，要求在两年内把这个核心工艺的产能再翻一番。
要打价格战，充足的产能是前提……要不然产能就一点点，供不应求的话，还打什么价格战啊！
扩大成熟工艺产能的同时，并进一步推进到10d工艺，即第四代十纳米工艺，其实际工艺节点规划为12纳米的量产计划，要求在今年秋天完成技术验证，明年就大规模出货！
10c成熟工艺担任主力，直接玩大规模降价，冲击对手的基本盘，让对手的现金流迅速枯竭，失去维持下一代工艺研发以及制造现金流！
新工艺的研发和制造，很耗费资金的！
同时使用顶级技术……对手一时半会追不上的10d先进工艺占领高端市场，以维持整体利润。
这是一套组合拳，是价格战和技术战的双重结合！
智云半导体部门很喜欢这么打击对手……大多时候效果都挺好的。
其中的10d工艺，就承担着非常重要的责任：要趁机抢占高端市场，并且在10c工艺的利润迅速降低的时候，以自身利润给整个智云储存业务回血！
不然到时候10c工艺大规模降价销售，利润暴跌的时候，又没办法用10d工艺回血，这样的话就尴尬了。
10c以及10d工艺，这是智云集团在内存芯片领域的工艺代称，10c工艺的实际工艺节点为14纳米。
这也是目前全球范围内大规模量产工艺里最顶级的工艺，该工艺出现的还比较早，一度领先了四星半导体……不过四星半导体没多久就追上来了，没能形成太久的技术优势。
目前的10c工艺，是智云集团旗下各种高端内存芯片的主要量产工艺，这两年智云集团的很多终端产品里，都能找到采用该种工艺的高端内存。
目前智云集团旗下的智云储存的hb3高带宽内存，也就是apo6000显卡上使用的内存，就是采用这一工艺制造。
智云集团旗下的s系列手机，如去年发布的s20ax pro旗舰级，上面采用的lpddr5内存芯片，也是采用这一工艺……智云储存旗下的lpddr5高性能高速内存，也是目前最顶级的低功耗内存，性能甚至超过了四星的lpddr5内存产品。
其原因就是来源于代工生产lpddr5内存的智云微电子，其10c工艺的所提供的卓越性能。
现在的10c工艺，依旧是目前量产工艺里的顶级工艺，当然，已经无法大幅度领先对手了。
因为四星半导体，镁光，海力士都已经陆续追上来并拥有了该级别工艺……他们的同级别工艺有好有坏，但是整体处于同一级别，区别不是很大。
现在，智云微电子在内存工艺领域里，已经是全力朝着更先进的10d工艺冲击，其工艺节点为12纳米。
智云微电子的内存芯片的工艺划分，早期是采用30纳米，25纳米，20纳米！
后来进入十纳米工艺时代后，第一代采用10a工艺，实际工艺节点为18纳米。
第二代10
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