正文 第六百一十三章 四大巨头的价格战
b工艺，实际工艺节点为16纳米。
第三代10c工艺，实际工艺节点为14纳米……这一代工艺开始，智云微电子开始采用euv光刻机制造内存芯片的部分核心工序。
而第四代的10d工艺，实际工艺节点为12纳米……
这个10d工艺的技术水平是非常高的，属于目前世界上技术最先进的内存芯片工艺，没有之一，哪怕是四星半导体想要追上来都困难的很。
而且这种工艺对先进设备的要求也非常高，10d的很多工序里，已经需要大规模使用最先进的heuv-300c光刻机了。
之前的10c工艺节点里，可用不着这种顶级家伙，用的还是heuv-300b光刻机，并且也只是在少量的核心工序里使用。
而10d工艺，则是需要更先进的heuv-300c光刻机，并且应用工序更多……这意味着性能更优秀，但是制造成本也更高。
主要是heuv-300c光刻机贵……这种光刻机是目前海湾科技旗下，也是全球范围内性能最顶级的量产型号光刻机，其15纳米的套刻精度能够轻松用于制造等效五纳米/七纳米工艺的芯片……这款光刻机，乃是智云微电子里现在以及未来用于大规模制造euv单次曝光工艺的主力光刻机。
至于更老旧的heuv-300b，虽然光刻性能达标，但是生产效率不太行，每小时产能只有一百二十片，现在都已经停产了……有了更先进的heuv-300c，海湾科技都不愿意继续生产heuv-300b了。
这也和海湾科技自己的策略有关，因为euv的镜片组产能有限，一年在只能生产这么点euv光刻机的情况下，他们更倾向于客户采购最先进，价格更高，利润更高的产品。
而不是用宝贵的euv镜片组产能，去生产成熟便宜，利润也比较低的产品。
所以，海湾科技把heuv-300b光刻机的价格标的比较高，简单直白的告诉客户：别买这玩意了，来买heuv-300c啊！
最后客户一算，heuv-300c虽然贵很多，但是综合使用成本性价比还要更好，所以也不抗拒。
别说智云微电子了，现在中芯采购euv光刻机，都是采购heuv-300c型了，只是他们没啥钱，买的很少。
现在的heuv-300c光刻机还是相当不错的，都能够用来勉强生产等效三纳米工艺的芯片了……智云微电子的第一代三纳米工艺，就是用这款光刻机做的。
当然，只是初步满足等效三纳米工艺的需求，良率以及成本上还是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的制造等效三纳米乃至二钠米等一系列euv双重曝光工艺的芯片，那么就需要更新型，目前海湾科技那边刚完成原型机研制，还没有开始供货的heuv-300d！
这是一款套刻精度达到了惊人的1纳米的顶级euv光刻机，专门为了euv双重曝光工艺而研发。
不出意外的话，这也将会是heuv-300系列光刻机的终极产物……因为到这个阶段，光源波长已经没办法缩减了，单次曝光的金属间距被限制在了26纳米左右，用在单次曝光制造五纳米工艺就是极限了。
要制造三纳米工艺的话，就需要进行双重曝光，这也是300d光刻机的主要技术进步特征，进一步缩小了套刻精度，使得双重曝光的良率更高，成本更低。
然后到了二纳米工艺呢？一点五纳米工艺？一纳米工艺呢？
现在的euv光刻机可就不太好用了。
怎么办？换个方向进一步缩小光刻机的极限金属间隔！
光刻机里，影响光刻精度的参数有好几个，其他几种在duv光刻机时代基本已经到极限了，euv光刻机则是使用缩小波长的方式来获得技术进步。
而现在euv的光源波长技术路线也差不多玩到头后，剩下最后一个可以提升空间的就只有‘na数值孔径’这么一个参数了。
如heuv-300系列光刻机里，数值孔径都是统一的033！
现在海湾科技那边的下一代光刻机，就是打算在数值孔径上做文章，提升数值孔径，比如放大到055甚至更大，进而获得更小的金属间隔。
实现单次曝光就制造十六纳米以下甚至更小的金属线宽！
该计划也就是海湾科技里的heuv-800光刻机，一种大数值孔径euv光刻机。
海湾科技的光刻机，其产品编号都是统一有规律的。
i线光刻机，编号为hi-100系列……
krf光刻机，编号为hkrf-200系列
duv干式光刻机，编号为hduv-400系列。
duv浸润式光刻机，支持双重曝光的则是为hduv-500系列，而支持四重曝光的则是hduv-600系列。
euv光刻机，因为当年徐申学一心奔着euv光刻机去，立项非常早，因此比duv光刻机还要更早一些，所以老早就拿到了heuv-300的系列编号。
然后前几年立项发展的纳米光刻机，则是用掉了hnil-700的编号
而新一代的大数值孔径euv光刻机，则是采用了新的heuv-800系列编号。
这种新一代的heuv-800光刻机，估计也就这两年内搞出来原型机，至于什么时候能实际应用，还要看后续研发情况……但是短时间内够呛，因为这东西太贵，还需要继续技术攻关，把成本拉下来，尤其是制造成本给拉下来，要不然半导体制造工厂使用成本过于高昂，难以为继。
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第三代10c工艺，实际工艺节点为14纳米……这一代工艺开始，智云微电子开始采用euv光刻机制造内存芯片的部分核心工序。
而第四代的10d工艺，实际工艺节点为12纳米……
这个10d工艺的技术水平是非常高的，属于目前世界上技术最先进的内存芯片工艺，没有之一，哪怕是四星半导体想要追上来都困难的很。
而且这种工艺对先进设备的要求也非常高，10d的很多工序里，已经需要大规模使用最先进的heuv-300c光刻机了。
之前的10c工艺节点里，可用不着这种顶级家伙，用的还是heuv-300b光刻机，并且也只是在少量的核心工序里使用。
而10d工艺，则是需要更先进的heuv-300c光刻机，并且应用工序更多……这意味着性能更优秀，但是制造成本也更高。
主要是heuv-300c光刻机贵……这种光刻机是目前海湾科技旗下，也是全球范围内性能最顶级的量产型号光刻机，其15纳米的套刻精度能够轻松用于制造等效五纳米/七纳米工艺的芯片……这款光刻机，乃是智云微电子里现在以及未来用于大规模制造euv单次曝光工艺的主力光刻机。
至于更老旧的heuv-300b，虽然光刻性能达标，但是生产效率不太行，每小时产能只有一百二十片，现在都已经停产了……有了更先进的heuv-300c，海湾科技都不愿意继续生产heuv-300b了。
这也和海湾科技自己的策略有关，因为euv的镜片组产能有限，一年在只能生产这么点euv光刻机的情况下，他们更倾向于客户采购最先进，价格更高，利润更高的产品。
而不是用宝贵的euv镜片组产能，去生产成熟便宜，利润也比较低的产品。
所以，海湾科技把heuv-300b光刻机的价格标的比较高，简单直白的告诉客户：别买这玩意了，来买heuv-300c啊！
最后客户一算，heuv-300c虽然贵很多，但是综合使用成本性价比还要更好，所以也不抗拒。
别说智云微电子了，现在中芯采购euv光刻机，都是采购heuv-300c型了，只是他们没啥钱，买的很少。
现在的heuv-300c光刻机还是相当不错的，都能够用来勉强生产等效三纳米工艺的芯片了……智云微电子的第一代三纳米工艺，就是用这款光刻机做的。
当然，只是初步满足等效三纳米工艺的需求，良率以及成本上还是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的制造等效三纳米乃至二钠米等一系列euv双重曝光工艺的芯片，那么就需要更新型，目前海湾科技那边刚完成原型机研制，还没有开始供货的heuv-300d！
这是一款套刻精度达到了惊人的1纳米的顶级euv光刻机，专门为了euv双重曝光工艺而研发。
不出意外的话，这也将会是heuv-300系列光刻机的终极产物……因为到这个阶段，光源波长已经没办法缩减了，单次曝光的金属间距被限制在了26纳米左右，用在单次曝光制造五纳米工艺就是极限了。
要制造三纳米工艺的话，就需要进行双重曝光，这也是300d光刻机的主要技术进步特征，进一步缩小了套刻精度，使得双重曝光的良率更高，成本更低。
然后到了二纳米工艺呢？一点五纳米工艺？一纳米工艺呢？
现在的euv光刻机可就不太好用了。
怎么办？换个方向进一步缩小光刻机的极限金属间隔！
光刻机里，影响光刻精度的参数有好几个，其他几种在duv光刻机时代基本已经到极限了，euv光刻机则是使用缩小波长的方式来获得技术进步。
而现在euv的光源波长技术路线也差不多玩到头后，剩下最后一个可以提升空间的就只有‘na数值孔径’这么一个参数了。
如heuv-300系列光刻机里，数值孔径都是统一的033！
现在海湾科技那边的下一代光刻机，就是打算在数值孔径上做文章，提升数值孔径，比如放大到055甚至更大，进而获得更小的金属间隔。
实现单次曝光就制造十六纳米以下甚至更小的金属线宽！
该计划也就是海湾科技里的heuv-800光刻机，一种大数值孔径euv光刻机。
海湾科技的光刻机，其产品编号都是统一有规律的。
i线光刻机，编号为hi-100系列……
krf光刻机，编号为hkrf-200系列
duv干式光刻机，编号为hduv-400系列。
duv浸润式光刻机，支持双重曝光的则是为hduv-500系列，而支持四重曝光的则是hduv-600系列。
euv光刻机，因为当年徐申学一心奔着euv光刻机去，立项非常早，因此比duv光刻机还要更早一些，所以老早就拿到了heuv-300的系列编号。
然后前几年立项发展的纳米光刻机，则是用掉了hnil-700的编号
而新一代的大数值孔径euv光刻机，则是采用了新的heuv-800系列编号。
这种新一代的heuv-800光刻机，估计也就这两年内搞出来原型机，至于什么时候能实际应用，还要看后续研发情况……但是短时间内够呛，因为这东西太贵，还需要继续技术攻关，把成本拉下来，尤其是制造成本给拉下来，要不然半导体制造工厂使用成本过于高昂，难以为继。
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