第1621章 现在和未来,都是我们的



或许是为了给这番论述一个直观的注脚,张汝宁走到测试平台旁,小心翼翼地从特制载物架上取下一片晶圆,交到栾文杰手中。



经过特殊处理的硅片表面光滑如镜,肉眼看去并无特殊之处。



但旁边的显示屏随之亮起,清晰地呈现出一个由无数细微线条构成的、边缘锐利无比的字母。



“F”。



“受限于这里的条件,我们没有完整的晶圆台和光刻胶处理线,无法制造出包含复杂电路的完整芯片。”张汝宁指着屏幕解释道,“但是,您看到的这个字母‘F’,其每一笔划的线宽,都是严格按照30nm的特征尺寸设计并光刻出来的。”



他伸手轻轻点在屏幕上那个清晰锐利的“F”上,加重语气:



“30nm,已经超过了TSMC当前7nm工艺所能达到的实际精度。”



栾文杰双手捧着那片小小的晶圆,如同捧着一块稀世珍宝。



尽管根本不可能分辨出30nm的细微线条,但他依旧看得无比专注——



这手掌上的方寸之间,蕴含着足以撼动全球半导体、乃至全球科技格局的力量。



沉默,持续了足有一分钟。



终于,栾文杰长长地、极其缓慢地吁出一口气,动作轻柔地将晶圆交还给张汝宁。



似乎还带着些许不舍。



“这块晶圆,我们会做专门保存。”常浩南看出了对方的心思,出言道,“这是我们在半导体生产领域反超的起点,以后可以放进工建委的博物馆里。”



说起这个,他突然想起了那块至今还放在地下仓库里面的B2碎片。



“算了。”栾文杰低声感叹,声音透过面罩显得有些沉闷,“这东西就算能展出,我们怕是也抢不过国博……”



一个玩笑,让现场的气氛轻松了不少。



但很快,他又话锋一转。



“我之前去华芯国际调研的时候,听他们的技术专家提到过。”栾文杰提出了一个更长远的问题,“在当前硅基CMOS工艺的物理框架下,制程的极限大概在5nm或者3nm附近,如果按照刚才计算的107.22nm等效波长来推算……”



“是否意味着,未来我们这台ArF-1800,也有可能通过技术优化,用于生产下一代,甚至下两代的产品?这关系到我们战略窗口期的长短!”



这个问题,张汝宁已经等待了很久。



“跟刚才那张表上的情况一样,业界宣传的‘5nm’、‘3nm’这些节点名称,仍然是制程迭代的代称,跟实际的最小物理特征尺寸并非严格的一一对应关系。”



他解释道:



“所谓‘5nm’节点实际对应的特征尺寸,业界预估会在25nm左右,至于‘3nm’,则可能对应到15-18nm区间。”



张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜,继续深入技术本质:



“对于25nm的特征尺寸,ArF-1800仍然可以通过双重曝光技术实现,就是良品率会比单次曝光生产30nm级别的产品时有所下降,工艺整合的复杂度也会提升,不过技术路径是确定

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