钱学明深吸了一口气,上前一步,站在了生产线的位置,面对张停和几位司长专家,有条不紊的开口。



“各位领导,我们曙光厂的这条芯片生产线,是一条三微米制程的os工艺线。”



“在最初的设计方案论证阶段,我们面临一个关键性的选择,是走当时国内普遍主流的nos工艺路线,还是另辟蹊径走os路线。”



钱学明侧身指向身后第一台设备,一五一十的介绍着。



“各位领导想必都知道,nos工艺的优点是速度相对快,工艺成熟度高,国内几家院所都有经验基础,可以说是最简单最普遍的选择。”



“但它的功耗太高,集成度提升后发热问题几乎无解。”



“而os工艺虽然功耗只有nos的十分之一不到,但业界公认它的速度慢,工艺控制难度大,存在闩锁效应等可靠性问题。”



“我们权衡了很久,最后林厂长和我还是共同决定走os路线,因为功耗才是未来大规模集成的最大瓶颈,速度可以通过电路设计和工艺优化来补偿。”



张停听得专注,点了点头没有插话。



两位专家也同样点点头。



钱学明说的没错,os工艺确实是有可取之处。



当然,也有其缺点。



他们这一次过来就是想知道曙光厂是怎么克服这个缺点的。



钱学明继续往前走,来到光刻机旁边:



“各位领导,这是我们从荷兰进口的步进式光刻机,配合我们自己研发的掩模版定位系统,可以实现三微米的最小线宽。”



“在曝光精度方面,对准误差控制在一微米以内,加上我们自研的自动对准算法,实际套刻精度可以做到正负零点五微米。”



说完,一行人继续沿生产线前行:“这里是我们自行改造的等离子体刻蚀机,原机进口的时候主要用于普通硅刻蚀。”



“我们重新设计了射频匹配网络和气体分配系统,把均匀性从百分之十二提高到了百分之四以内。”



“同时把刻蚀速率从每分钟六十纳米提升到了一百一十纳米,而且侧壁垂直度控制在了八十七度以上,减少了后续工序的补偿难度。”



听着这一系列关键名词,张停没有太多的感知,毕竟他不是专精这一方面的专家。



但后面的两位专家肉眼可见的兴奋起来。



眼神里是满满的火热。



钱学明又走到下一台设备前,这是一台卧式扩散炉,顶部密布着管线:



“这是氧化扩散炉,用于在硅片表面形成热氧化层和掺杂杂质。”



“我们在原来基础上优化了温度场分布,炉管内九个测温点的温差控制在正负零点五度以内。”



“掺杂采用先预淀积再推进扩散的两步法,结深控制精度达到正负零点一微米,这对后续os管的阈值电压一致性非常关键。”



接下来是离子注入机,溅射台,金属化设备,化学气相沉积设备……



钱学明领着队伍从前到后走过每一道工序,每一步都讲得细致。



光刻前的清洗采用sc??1和sc??2

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