正文 第两百三十六章 给了一个大大的惊喜！
标准两步清洗法，配合兆声震荡辅助去除亚微米级颗粒。
栅氧化层厚度控制到一百二十埃，用椭圆偏振仪在线监测每一批次，多晶硅淀积采用低压化学气相沉积，均匀度优于百分之二……
每一道工序都有具体参数和实测数据。
张停听得频频点头，口中的赞叹一句接着一句。
匡国梁则掏出随身的小本子埋头记了好几页。
走到生产线末端的时候，钱学明停了下来，站在一台测试机前。
他转过身来，脸上的紧张已经彻底消散，取而代之的是一种的自豪：
“各位领导，经过前后三个月的工艺调试和三次流片迭代，目前我们的os工艺良率已经稳定在百分之九十五以上。”
“每片四英寸硅片可产出三百二十颗曙光一号芯片，单片成本折算下来不到三美元。”
“相比国外同级别产品的采购价格，我们的成本优势超过了百分之七十。”
“成本优势超过70！”
匡国梁倒吸一口凉气。
这个成本放在市场上，毫无疑问，将会带来降维性打击。
拥有无与伦比的竞争力。
钱学明把手放在测试机侧面的数据面板上：
“而且我们不仅跑通了工艺，还完成了工艺文件的标准化，每一个参数，每一个操作步骤都有完整的记录和操作规范。”
两位专家这时候不约而同地往前迈了好几步。
一位戴黑框眼镜的专家姓吴，头发已经灰白了大半，他摘下手套，凑近了看测试机屏幕上滚动显示的数据，然后转过头来，目光灼灼地看着钱学明。
“钱学明同志，我问一个我琢磨了很久的问题。”
“os工艺我们部里的几个院所也研究过，但大家普遍碰到的瓶颈是开关速度上不去，pos的空穴迁移率比nos的电子迁移率低将近三倍，这导致os的传输延迟比nos大很多。”
“你们是怎么突破这个问题的？”
话音还没落下，另一位专家孙教授也跟着补了一句：
“还有一个闩锁效应的问题，os在较高的电压或快速跳变的时候容易触发寄生scr结构，导致芯片烧毁或功能异常，这个可靠性隐患你们是怎么解决的？”
听到这两个问题，钱学明没有紧张，他早有准备，不急不缓地回道：
“吴老师问得非常专业，这两个问题确实是os路线上最大的两座山，也是业界公认的os路线的难点。”
“关于开关速度，我们做了三个层面的优化。”
“第一，在版图设计上采用自举电路结构，把某些节点的电压在瞬间抬到超过电源电压，以此来增强驱动能力，补偿pos的迁移率短板。”
“实测我们的曙光一号内部关键路径的传输延迟做到了三点八纳秒，比常规os设计缩短了将近百分之四十。”
钱学明顿了顿，继续道：“第二，我们优化了栅极材料的掺杂浓度和退火条件。”
“我们通过控制多晶硅栅的掺杂浓度在每立方厘米十的二十次方
栅氧化层厚度控制到一百二十埃，用椭圆偏振仪在线监测每一批次，多晶硅淀积采用低压化学气相沉积，均匀度优于百分之二……
每一道工序都有具体参数和实测数据。
张停听得频频点头，口中的赞叹一句接着一句。
匡国梁则掏出随身的小本子埋头记了好几页。
走到生产线末端的时候，钱学明停了下来，站在一台测试机前。
他转过身来，脸上的紧张已经彻底消散，取而代之的是一种的自豪：
“各位领导，经过前后三个月的工艺调试和三次流片迭代，目前我们的os工艺良率已经稳定在百分之九十五以上。”
“每片四英寸硅片可产出三百二十颗曙光一号芯片，单片成本折算下来不到三美元。”
“相比国外同级别产品的采购价格，我们的成本优势超过了百分之七十。”
“成本优势超过70！”
匡国梁倒吸一口凉气。
这个成本放在市场上，毫无疑问，将会带来降维性打击。
拥有无与伦比的竞争力。
钱学明把手放在测试机侧面的数据面板上：
“而且我们不仅跑通了工艺，还完成了工艺文件的标准化，每一个参数，每一个操作步骤都有完整的记录和操作规范。”
两位专家这时候不约而同地往前迈了好几步。
一位戴黑框眼镜的专家姓吴，头发已经灰白了大半，他摘下手套，凑近了看测试机屏幕上滚动显示的数据，然后转过头来，目光灼灼地看着钱学明。
“钱学明同志，我问一个我琢磨了很久的问题。”
“os工艺我们部里的几个院所也研究过，但大家普遍碰到的瓶颈是开关速度上不去，pos的空穴迁移率比nos的电子迁移率低将近三倍，这导致os的传输延迟比nos大很多。”
“你们是怎么突破这个问题的？”
话音还没落下，另一位专家孙教授也跟着补了一句：
“还有一个闩锁效应的问题，os在较高的电压或快速跳变的时候容易触发寄生scr结构，导致芯片烧毁或功能异常，这个可靠性隐患你们是怎么解决的？”
听到这两个问题，钱学明没有紧张，他早有准备，不急不缓地回道：
“吴老师问得非常专业，这两个问题确实是os路线上最大的两座山，也是业界公认的os路线的难点。”
“关于开关速度，我们做了三个层面的优化。”
“第一，在版图设计上采用自举电路结构，把某些节点的电压在瞬间抬到超过电源电压，以此来增强驱动能力，补偿pos的迁移率短板。”
“实测我们的曙光一号内部关键路径的传输延迟做到了三点八纳秒，比常规os设计缩短了将近百分之四十。”
钱学明顿了顿，继续道：“第二，我们优化了栅极材料的掺杂浓度和退火条件。”
“我们通过控制多晶硅栅的掺杂浓度在每立方厘米十的二十次方
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