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“速度慢,可以通过缩小特征尺寸来降低延迟,未来到微米级,亚微米级的时候,os的速度瓶颈自然会被突破。”



“栓锁效应,可以通过优化阱设计和衬底接触来抑制。”



“至于制造工艺的困难,做芯片从来就没有简单过,nos起步的时候良率也低得可怜,不也一样走过来了?“



钱学明眼神变得火热起来,语气里带着一种近乎宗教般的坚定。



“我相信,只要持续投入研发,os的这些问题都能被解决。”



“它的功耗优势是革命性的,是任何其他技术路线都无法比拟的,一旦等到os成熟,整个电子工业都会被改写!“



听着钱学明的话,林默又开口说了一句:



“钱先生,据我所知,无锡的742厂最近正在跟小日子的东芝,洽谈引进彩色和黑白电视机的集成电路生产线,好像走的正是双极型技术路线。“



钱学明知道这件事,他声音低了下来,带着一种明显的困惑:



“林厂长,这个我知道,跟我说这个的意思,是觉得双极型才是未来?还是说您也认为os不行?“



“不,你想错了,我的想法跟你一样。“



林默毫不犹豫的开口说道,语气更为肯定:



“os才是未来的主流,双极型功耗高,集成度低,天花板太明显了,而os的潜力远没有被挖掘出来。“



听着自己的路线被赞成,钱学明的眼睛亮了起来。



“不过您刚才说的那些问题,如果解决不了,os就只能停留在实验室里,永远无法真正走向量产。”



“是啊。”钱学明叹了口气,无奈的摇摇头。



“我准备去国外学习一下,听说国有一些实验室里,已经可以解决一部分问题。”



林默脸上露出笑容,补充一句:“但是这些问题,在我这里其实是有解的。“



“什么?”



“林厂长,您的意思是?”



钱学明的身体猛地前倾,瞪大眼睛:



“怎么解?“



林默伸手拿过桌面上空白的草稿纸,然后从胸前的口袋里抽出一支钢笔,在纸上画了一个简单的剖面示意图。



几笔勾出了一个os反相器的基本结构。



p阱,n阱,每一个区域都标注得清清楚楚。



然后在p阱和n阱的边缘画了几道短横线,标注了衬底接触和重掺杂。



“栓锁效应。“



林默的笔尖点着剖面图,语气平静,“本质上是寄生可控硅的触发,要抑制它,核心思路是降低寄生pnp和npn管的增益。“



一边说,林默抬起头看了钱学明一眼,见他正目不转睛地盯着图纸,便继续:“具体来说,认为这个问题的解决有两个方向。”



第一,是在现有的基础上,优化阱和衬底的接触设计。”



“简单一点来说,就是在p阱和n阱的每一条边界上,都密集地布置衬底接触点,确保任何位置的载流子浓度都低于触发阈值。”

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