泰山研究所正式开始研发。



当然这不是从无到有的晶体管技术研发,研究人员们从方文那里知道,这种神秘的科技知识,本身就已经成熟,大家需要做的是将整套技术吃透,由知识层面转化成现实应用。



因此,他们不需要经过理论构建,大量基础实验。



甚至跳过了使用锗作为半导体材料,直接用上了多晶硅。



而方文给他们的多晶硅制备工艺,并不复杂。



是早期多晶硅制造厂使用的冶金法。



以较高纯度的硅为原料,采用湿法冶金、真空熔炼、氧化精炼、定向凝固等技术组合而制备多晶硅。



其工艺流程简单,分为五步。



一,原料准备:准备制备好的硅作为原料。



二,湿法酸洗:采用氢氟酸、王水等化学试剂对硅材料进行清洗,去除表面杂质。



三,氧化造渣:通过氧化反应将硅中的杂质转化为渣滓。



四,真空熔炼:在真空条件下对硅进行熔炼,进一步去除杂质。



五,定向凝固:利用定向凝固技术使硅中的杂质在凝固过程中被分离出来,得到高纯度的多晶硅。



这是方文知道的,能耗最小,也没有多大污染,并且最容易实现的工艺。



实验室中的制备,很快就通过了验证,研究团队成功的制备出第一份多晶硅材料。



接下,就是将多晶硅材料制作成晶圆。



即将制备出的多晶硅棒锯切成薄片。



然后放入化学液体中浸泡清洗表面有机和无机杂质。



清洗后的晶圆表面光洁,就可以进行后续的工艺。



在没有光刻机的时代,半导体零件的制作相对原始。



先是用在氧化工艺,在晶圆表明形成一层二氧化硅。二氧化硅具有高熔点、高沸点、良好的绝缘性和化学稳定性,是很好的绝缘层和保护层。



然后用化学溶液,以湿法刻蚀的方式去除晶圆上的部分材料,以形成所需的电路图案。



最后是封装,将制作好的半导体零件封装在保护外壳中,并提供与外界的电连接口,就形成了基础电子元器件。



虽然整个工艺因为条件原因,有些粗糙,甚至缺少了离子注入和气相沉积等技术,让元器件的性能会差一些,但已经达到了应用级。



研究员们,在掌握了制备技术后,兴致大增,日以继夜的投入各种实验中。



但让他们这样没有方向性的研究,并不是方文想要的。



还得给出一些未来电子技术的指引才行。



方文给他们建立了两个课题。



使用晶体管技术的收音机。



以及使用晶体管技术的十进制计算器。



这两种应用,前者是将电子管技术转移到晶体管技术,将电子管那种粗犷的布线和大零件结构,改变成电路和元器件的结构。



后者的研究主要是开拓逻辑电路的思路,为以后的军事技术开发做准备。



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