有些头脑发胀,但还是敏锐地捕捉到了其中最关键的部分。



NA值,1.80!



“我记得之前提交上去的那份评估报告里,最高规格的数值孔径预估是1.70?”



面对这个问题,张汝宁脸上露出一丝茫然。



他并不清楚有个什么评估报告的事情。



常浩南则立刻接过话头解释道:



“栾主任,那份报告里使用的1.70数值,值是我们在进行不同技术路线横向比较时设定的……嗯……参照基准,当时为了公平对比,说明镥铝石榴石体系的优势,我设定的前提是其他所有条件,比如光源、视场、机械平台等都保持一致。”



“但在实际设计过程中,因为物镜组的整体结构变得简单了很多,所以这套系统的底镜有效视场比之前的1500物镜组拓宽了大约15%……换句话说,在相同NA值要求下,光线通过物镜边缘区域的入射角度可以更小,这极大地减轻了设计超高NA系统时最难克服的边缘像差压力……”



“……”



“总之,”他最后总结道:“这0.1的额外提升,是设计自由度增加带来的实际工程红利,也是新方案综合优越性的直接体现。”



栾文杰未必完全听懂了他的长篇大论,但眼前的结果显然令他心情大好:



“所以常院士,刚才你提到华芯国际能以MPP工艺大批量生产新一代的7nm芯片,关键就在于这个1.80的NA值?”



常浩南点头:“正是。”



接着,又从旁边拿过一张表格递给对方:



“1.80的数值孔径,相当于我们把193nm DUV光源的等效波长压缩到了107.22nm,对比NA值1.35的老体系,相当于把特征尺寸的理论极限从40nm一举推进到27nm左右!”



栾文杰的视线表格上飞速移动,最终找到了27nm对应的节点尺寸——



三星的5nm,或TSMC的7nm++,或英特尔的10nm。



总之,已经是目前最强的一档。



是过去一般认为,只有EUV光刻机才能够涉足的领域。



看到对方的视线已经不再移动,常浩南终于给出了阶段性的结论:



“这个能力,足以覆盖当前TSMC、三星等厂商定义的7nm,乃至未来3-5年内可能出现的更先进节点的全部生产需求!而且,都是依靠单次曝光工艺就能稳定实现的。”



“更重要的是,ArF-1800光刻机的主体架构,除了这个革命性的物镜组以外,其余光源系统、精密工件台、掩模台以及对准器等核心子系统,都沿用了ArF-1500平台上的成熟设计,最大程度地保证了设备的可靠性用户的转产速度。”



说到这里他稍作停顿,让栾文杰有些缓冲的时间。



之后,又掷地有声地强调:



“这意味着,一旦设备交付,华芯国际能够在最短时间内完成产线切换和产能爬坡,无需漫长的调试和适应期,供应链的每一个环节,从材料、设计到制造,都牢牢掌握在我们自己手中,稳定、安全、可控!”



(本章完)(3/3)

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