。



最开始她计算的是采用真空管或早期晶体管,高性能模拟器件,功耗大。成本大约在1500到7500元之间。



这玩意确实太贵了。



夏黎想了想,在原本的稿纸上涂涂改改,采用os图像传感器技术,也就是后世的互补金属氧化物半导体技术,将感光、数模转换等全部集成在单颗芯片上,取代笨重的摄像管和复杂电路,不但比之前的技术好,还比之前的技术便宜。



用这种技术可以直接把成本降到40块钱。



从1500元到7500元,直降到40元的成本,这绝对是质的飞跃。



不过,以现在华夏的技术,想要造出来这东西,可能倒是有那么一丁点的可能,但是硬件的设备还有些问题。



首先就是华夏没有超净间。os对灰尘的容忍度比双极性更苛刻。一颗尘粒落在栅氧生长区,就等于一个针孔漏电,等于芯片废掉。



这意味着哪怕流程设计对了,良品率也是灾难级的。



不是“做不出”,是“做一百颗坏九十九颗”。



成本简直高到飞起。



第二是芯片欠缺问题。



目前国内倒是有光刻机,不过就那么一台可以用的光刻机,不可能拿来给他们用来做好几十万个芯片,人家华科医院那边的科研人员还得干别的呢。



而且就冲他们那宝贝光刻机的模样,肯定怕他们把东西用坏,不肯让他们做几十万个芯片。



第三是硅材料的纯度不够,os栅氧厚度只有几百埃,任何微量金属污染就等于漏电流暴走。



国产直拉cz硅当前纯度勉强够双极性nos实验,用于高质量os需要的超低氧、超低金属杂质、无位错单晶,根本拉不出合格的大直径单晶棒。



第四点是:os需要精确控制p-ell掺杂剖面。理想做法是用离子注入机,能量和剂量可控。



华夏有少量仿制和进口的离子注入机,但有巴统协议在,想也知道,外国人给华夏的都是落后的产品。



束流均匀性、剂量精度、晶圆级自动化远不够量产。



靠传统热扩散凑合的话,横向扩散不可控,直接导致沟道长度一致性崩掉,最终致使vt分布宽得像撒胡椒面。



画面糊成那样还监控什么?一点意义都没有。



这是目前能降低成本的最大头,也是不想花钱就必须克服的地方。



夏黎又在图纸上圈了另外一个位置,将原本的耗材一栏,改写成sd卡或硬盘。



目前记录影像的方案是,使用一台昂贵的时延录像机和大量耗材录像带。



可这种方案后期可能不用消耗太大,但首年的消耗大约是56万元。



而他们现在恰恰最缺的就是第一年的钱。



夏黎想了想,在后面标注:数字压缩与闪存技术用h264等算法将视频数据量压缩上百倍,存储在指甲盖大小的廉价sd卡或硬盘上。



能做出来的前提下,这种成本大约只有40元左右。



听着挺好的,五六万元直降到40块钱,还是后世大家都听过,甚至是花十几二十块就唾

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